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                第31届IEEE国际功▲率半导体器件与集成电路会议(ISPSD 2019)圆满举办

                第31届国际功率半导体器件与集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD))于5月20日至5月23日在中国上海圆满举办。本次ISPSD国际会议由浙江大学和第三代半导体产业技术创新战略联〓盟主办,由中国电机工程学会技术主办,由电气和电ξ 子工程师协会、IEEE电子器件学会、IEEE电『力电子协会、IEEE工业应◇用协会、日本电气工程师协会技术协办。会议︼主席由浙江大↓学电气工程学院院长盛况教授担任。

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                第31届ISPSD会议开幕》式

                在∩开幕式上,ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授首先致欢▅迎辞,他对与会的专家、学者、同行表示热烈的欢迎。他指出,自31年前在日①本东京召开第1届会→议以来,ISPSD已成为国际上电力电子器件行业发展、技术进展和创新理念交流共享最∏重要的平台,电力电子器件领域的重大研究成果※和重要学术进展大多也在这个会议上首次发表︾。他希望通过此次会议,专家学者可以分享∏与交流最新的研究和发现,参会者也借此机会结¤交志同道合的朋友。他诚邀首次参加ISPSD的参会◤者以后每年都齐聚ISPSD,成为功率半导体器件集成电路大家庭的一员。

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                ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授致辞

                ISPSD技术程序委员会主席、香港科↑技大学Kevin Chen教授介绍了本次参会论文录取①情况,共收到摘要论文299篇,经过领域内权威专家的严【格评审,最终入选128篇论文。

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                ISPSD技术程序委员会主席、香港科技大学Kevin Chen教授作报告

                30ISPSD大会主席、美国〖伊利诺伊斯理工大学John Shen宣读了入选名人堂的两位教授名单, Alex Lidow教授因对硅和氮化镓率器∑ 件技术的卓越贡献而获此殊荣,Don Disney教授因其对功率IC技术的贡献以及他在组织ISPSD会议中的领导作用而获此殊荣。

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                30ISPSD大会主席、美国伊利诺伊斯理工大学John Shen宣布入选名人堂名单

                  ISPSD宣传主席、多伦ぷ多大学Wai Tung Ng教授宣♀布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文获得第30ISPSD会议最佳论文奖(Ohmi Best Paper Award)。

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                ISPSD宣传主席、多伦多大学Wai Tung Ng教授宣布最佳论文奖

                本届ISPSD国际会议“星光璀璨”,相关领域的国内外知名专家学【者、企业界同行齐聚盛会。会议吸引了中国大◤陆、中国香港、中国台湾、日本、美国、韩国、德国、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法国、比利时、印度等24个国家和地区的600余人参会。大会分设11场专题报■告和2场海报报告,主题涵盖了高压和低压器件、宽禁带碳〗化硅和氮化镓器件、功率集成电路、封装与驱动等功率半导体领域的所有方面。

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                ISPSD专题报告会会场

                523日下午,ISPSD2019国际会议举行闭幕◆式。闭幕式由大会主◎席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授主持他全面总结了本】届ISPSD国际会议的规模与成果,并宣读了会议评『选出的两位最佳青年学者奖(Charitat Award)得主,来自加拿大多伦多大学的Wei Jia Zhang和来自日本京都大学的Takuya Maeda斩获殊荣。

                在会█议交接仪式上,下一届ISPSD主席、英飞凌公司的Oliver Haberlen博士代≡表主办方介绍了下届会议各项准备工作的进展,并邀请与会者←于2020年莅临奥地利维也纳共同参加下一次盛会。ISPSD的会议大旗由本届主席盛况教授递交到下届主席Oliver Haberlen博士手中,标志着此次会议圆满结束,下届会议的╳周期正式开始。

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                31届、32ISPSD会旗交接仪式

                本√次会议获与会者高度评价,一致感谢主办♀方浙江大学的悉心操持,并认为会议议题全面而前沿,而上海的人文与自然景观则使人印象深刻,流连忘返。

                IEEE ISPSD是功率半导体领域最具影响力和规模最大的顶级国际▽学术会议,一般在日本、北美和欧洲之间轮换。本届会议是ISPSD首次由中国大陆主办,得益于中国电力电子器件和集成电路的高速发展,标志着我国本行业的发展进入新纪元!

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