第31届IEEE国际功▲率半导体器件与集成电路会议(ISPSD 2019)圆满举办
第31届国际功率半导体器件与集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)）于5月20日至5月23日在中国上海圆满举办。本次ISPSD国际会议由浙江大学和第三代半导体产业技术创新战略联〓盟主办，由中国电机工程学会技术主办，由电气和电ξ 子工程师协会、IEEE电子器件学会、IEEE电『力电子协会、IEEE工业应◇用协会、日本电气工程师协会技术协办。会议︼主席由浙江大↓学电气工程学院院长盛况教授担任。
第31届ISPSD会议开幕》式
在∩开幕式上，ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授首先致欢▅迎辞，他对与会的专家、学者、同行表示热烈的欢迎。他指出，自31年前在日①本东京召开第1届会→议以来，ISPSD已成为国际上电力电子器件行业发展、技术进展和创新理念交流共享最∏重要的平台，电力电子器件领域的重大研究成果※和重要学术进展大多也在这个会议上首次发表︾。他希望通过此次会议，专家学者可以分享∏与交流最新的研究和发现，参会者也借此机会结¤交志同道合的朋友。他诚邀首次参加ISPSD的参会◤者以后每年都齐聚ISPSD，成为功率半导体器件集成电路大家庭的一员。
ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授致辞
ISPSD技术程序委员会主席、香港科↑技大学Kevin Chen教授介绍了本次参会论文录取①情况，共收到摘要论文299篇，经过领域内权威专家的严【格评审，最终入选128篇论文。
ISPSD技术程序委员会主席、香港科技大学Kevin Chen教授作报告
第30届ISPSD大会主席、美国〖伊利诺伊斯理工大学John Shen宣读了入选名人堂的两位教授名单， Alex Lidow教授因对硅和氮化镓功率器∑ 件技术的卓越贡献而获此殊荣，Don Disney教授因其对功率IC技术的贡献以及他在组织ISPSD会议中的领导作用而获此殊荣。
第30届ISPSD大会主席、美国伊利诺伊斯理工大学John Shen宣布入选名人堂名单
ISPSD宣传主席、多伦ぷ多大学Wai Tung Ng教授宣♀布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文获得第30届ISPSD会议最佳论文奖（Ohmi Best Paper Award）。
ISPSD宣传主席、多伦多大学Wai Tung Ng教授宣布最佳论文奖
本届ISPSD国际会议“星光璀璨”，相关领域的国内外知名专家学【者、企业界同行齐聚盛会。会议吸引了中国大◤陆、中国香港、中国台湾、日本、美国、韩国、德国、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法国、比利时、印度等24个国家和地区的600余人参会。大会分设11场专题报■告和2场海报报告，主题涵盖了高压和低压器件、宽禁带碳〗化硅和氮化镓器件、功率集成电路、封装与驱动等功率半导体领域的所有方面。
ISPSD专题报告会会场
5月23日下午，ISPSD2019国际会议举行闭幕◆式。闭幕式由大会主◎席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授主持，他全面总结了本】届ISPSD国际会议的规模与成果，并宣读了会议评『选出的两位最佳青年学者奖（Charitat Award）得主，来自加拿大多伦多大学的Wei Jia Zhang和来自日本京都大学的Takuya Maeda斩获殊荣。
在会█议交接仪式上，下一届ISPSD主席、英飞凌公司的Oliver Haberlen博士代≡表主办方介绍了下届会议各项准备工作的进展，并邀请与会者←于2020年莅临奥地利维也纳共同参加下一次盛会。ISPSD的会议大旗由本届主席盛况教授递交到下届主席Oliver Haberlen博士手中，标志着此次会议圆满结束，下届会议的╳周期正式开始。
第31届、32届ISPSD会旗交接仪式
本√次会议获与会者高度评价，一致感谢主办♀方浙江大学的悉心操持，并认为会议议题全面而前沿，而上海的人文与自然景观则使人印象深刻，流连忘返。
IEEE ISPSD是功率半导体领域最具影响力和规模最大的顶级国际▽学术会议，一般在日本、北美和欧洲之间轮换。本届会议是ISPSD首次由中国大陆主办，得益于中国电力电子器件和集成电路的高速发展，标志着我国本行业的发展进入新纪元！
